风电(c)InSbNS的高分辨率TEM图像。(d)在Vds=100mV时,制氢637、940和1550nm光的时间分辨光响应Vbg分别为0V,42V,50V。体月末(d)光电流的上升和衰减时间分别测量为2.27ms和2.03ms。
目预(e)源漏电压Vds=0.1V的InSbNS器件的传输特性与温度的关系。【成果简介】近日,计9竣工中科院上海技术物理研究所王建禄研究员、计9竣工孟祥建研究员和中科院半导体研究所潘东副研究员(共同通讯作者)等人报道了一种基于高质量InSb纳米片(NSs)的红外(IR)光电探测器,该探测器在可见光(637nm)到红外光(4.3µm)的宽光谱范围内显示出清晰的光响应。
辽宁离网文献链接:HighlySensitiveInSbNanosheetsInfraredPhotodetectorPassivatedbyFerroelectricPolymer(Adv.Funct.Mater.,2020,DOI:10.1002/adfm.202006156)本文由CQR编译。
(c)在有无P(VDF-TrFE)钝化下,华电化项InSbNS光电探测器的传输特性。铁岭他表示:昌图家居产业园项目是尼尔科达品牌战略以品质引领终端市场全面进攻的新注脚。
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